NIST SRM2841半导体薄膜：AlxGa1-xAs外延层（标准品）旨在用作测量薄膜成分的分析方法的参考标准，例如电子微探针分析 (EMPA)、光致发光 (PL)、俄歇电子能谱 (AES) 和 X 射线光电子能谱（XPS）。 SRM 2841 的一个单元由 AlxGa1-xAs 外延层组成，在安装的砷化镓 (GaAs) 基板上生长经过认证的 Al 摩尔分数 x使用胶带粘贴到不锈钢圆盘上。每个单元都密封在含有氮气气氛的聚酯薄膜信封中。正确使用 SRM 作为比较标准取决于分析方法（参见“测量条件和程序”和 NIST 特别出版物 260-163 [1]）。

认证铝值：

NIST 认证值是 NIST 对其准确性有最高置信度的值，因为 NIST [2] 已调查或解释了所有已知或可疑的偏差来源。以摩尔分数表示的铝 (Al) 的认证值在表 1 中提供。该认证值基于 Al 摩尔分数与薄膜 PL 光谱中峰强度能量之间已确认的相关性[ 3,4]。认证值的不确定度是扩展不确定度 (k = 2)，旨在接近 95% 的置信水平 [5]。对每个 SRM 单元进行了两次额外的质量检查。一、分子在样品生长过程中监测束外延生长系统。为了作为 SRM 被接受，由每个单元的反射高能电子衍射的强度振荡确定的 Al 摩尔分数必须在其扩展的不确定性范围内与认证值一致。其次，薄膜的自由载流子浓度必须在 1 × 1016 cm-3 和 5 × 1016 cm-3 之间

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表 1. SRM 2841 中铝的认证值（摩尔分数）

铝：样品 ± 样品 

证书有效期：

NIST SRM2841半导体薄膜：AlxGa1-xAs外延层（标准品）的认证在规定的测量不确定度内有效期至 2031 年 8 月 1 日，前提是 SRM 按照本证书中给出的说明进行处理和储存（参见“操作说明，储存和使用”）。如果 SRM 损坏、污染或以其他方式修改，则认证无效。样品的使用和储存会增加表面氧化和污染。对于对表面污染敏感的应用，SRM 和未知样品需要就地清洁，通常是光溅射。如果溅射薄膜导致薄膜明显变粗糙或出现选择性溅射迹象，则应更换 SRM。