NIST SRM 2137硅中硼植入深度剖面浓度校准（标准品）旨在用于通过二次离子质谱 (SIMS) 分析技术校准对硅基质中微量和痕量硼的二次离子响应。 SRM 2137 的一个单元由一个单晶硅衬底组成，其表面通过硅离子注入而变得无序。衬底被离子注入同位素10B，标称能量为50 keV。 SRM 2137 已通过中子深度剖析获得 10B 原子保留剂量的认证。剂量以每单位面积 10B 质量为单位表示。 SIMS 提供了关于 10B 原子浓度随地表以下深度变化的未经认证的信息。

认证值和不确定度：

10B 原子的总保留剂量通过称为中子深度剖析的中子反应方法确定，使用沉积在硅上的金属 10B 校准参考膜作为标准。所述不确定度是 95% 的覆盖率，95% 的置信度容差区间，包括随机测量误差、材料变异性估计和系统不确定性。假设由于注入过程中的空间变化，SRM 单元之间的实际保留剂量可能会有所不同。由认证值定义的区间及其相关不确定性涵盖了至少 95% 的 SRM 单位中的真实 10B 剂量，置信度为 95%。

认证到期：

NIST SRM 2137硅中硼植入深度剖面浓度校准（标准品） 的认证在规定的不确定性范围内无限期有效，前提是按照本证书中给出的说明处理和储存 SRM（参见“处理、储存和使用说明”）。因此，不需要定期重新校准或重新认证此 SRM。如果 SRM 损坏、污染或以其他方式修改，则认证无效。